conductivity是什么意思conductivity英[ˌkɒndʌk'tɪvətɪ]美[ˌkɑndʌkˈtɪvɪti]n. 傳導性，傳導率，電導率;[例句]Its mechanical properties, thermal conductivity, electrical insulation and thermal stability were studied.研究了涂料力學性能、熱導率、電絕緣性、熱穩定性等性能 。[其他] 復數：conductivities
electrical conductivity是什么意思electrical conductivity
電導率；電導系數；導電性；導電率
導電度；電導性；電導度
電導率 ， 物理學概念，指在介質中該量與電場強度之積等于傳導電流密度，也可以稱為導電率 。對于各向同性介質，電導率是標量；對于各向異性介質，電導率是張量 。生態學中 ， 電導率是以數字表示的溶液傳導電流的能力 。單位以西門子每米（S/m）表示 。
electric conductivity是什么意思導電能力
transverse conductivity是什么意思transverse conductivity
橫向傳導率
electronconductivity是什么意思【conductivity】electron conductivity
電子電導率
electronconductivity
導電性，電導率
According to the above constitution, wiring layers having satisfactoryelectroconductivity can be provided.
由此，能夠得到確保了充分的導電性的布線層
電導和電導率是什么關系電導率，物理學概念，指在介質中該量與電場強度之積等于傳導電流密度 。對于各向同性介質，電導率是標量；對于各向異性介質 ， 電導率是張量 。生態學中，電導率是以數字表示的溶液傳導電流的能力 。單位以西門子每米（S/m）表示 。
（1）英文：conductivity(orspecific conductance)
（2）定義：電阻率的倒數為電導率 ， 用希臘字母κ表示（或者γ[1]），κ=1/ρ 。除非特別指明，電導率的測量溫度是標準溫度（ 25 °C ） 。
（3）單位：在國際單位制中，電導率的單位稱為西門子/米（S/m），其它單位有：MS/m ， S/cm，μS/cm 。1S/m=1000mS/m=1000000μS/m=10mS/cm=10000μS/cm 。
（4）說明：電導率的物理意義是表示物質導電的性能 。電導率越大則導電性能越強 ， 反之越小 。另外，不少人將電導跟電導率混淆：電導是電阻的倒數，電導率是電阻率的倒數 。
bandlike transport和hopping transport的區別bandlike transport
帶狀傳輸
hopping transport
[網絡]
跳躍輸運
例句
1Hopping-Electron Transport in a Field-Emission Display
場致發射顯示中的跳躍式電子傳輸
2Based on tight-binding disordered model, a direct current electronic hopping transport conductance model of one-dimensional disordered system was established, and the direct current conductivity formula was derived.
在單電子緊束縛無序模型基礎上 ， 建立一維無序材料電子跳躍輸運直流電導率計算模型，并推導其直流電導率計算公式；
3Foreign Office officials assisted with transport and finance problems.
外交部官員幫助解決運輸和經費問題 。
4A pallid account of the future of transport
對交通運輸前景的平淡描述
導熱性的英語翻譯 導熱性用英語怎么說導熱性_
導熱性
[詞典]conductivity for heat; temperature conductivity; thermal conductance; thermal conductivity;
[例句]測量系統還受樣品氣體的導熱性和熱對流性之類其他性能的影響 。
Measuring systems are affected by other properties such as thermal conductivity and thermal convection of the sample gas.
雙語例句 漢英大詞典
NaCl為強電解質,為什么加入到乳狀液中,乳狀液的電導率會隨其加入量的增加而降低（1）英文：conductivity (or specific conductance)（2）定義：電阻率的倒數為電導率 ， σ=1/ρ。除非特別指明，電導率的測量溫度是標準溫度（ 25 °C ） 。（3）單位：在國際單位制中,電導率的單位是西門子/米（S/m），其它單位有：s/cm，μs/cm 。1S/m=0.01s/cm=10000μs/cm 。（4）說明：電導率的物理意義是表示物質導電的性能 。電導率越大則導電性能越強，反之越小 。另外，不少人將電導跟電導率混淆：電導是電阻的倒數，電導率是電阻率的倒數 。
編輯本段影響因素
（1）溫度：電導率與溫度具有很大相關性 。金屬的電導率隨著溫度的增高而降低 。半導體的電導率隨著溫度的增高而增高 。在一段溫度值域內，電導率可以被近似為與溫度成正比 。為了要比較物質在不同溫度狀況的電導率，必須設定一個共同的參考溫度 。電導率與溫度的相關性 ， 時?？梢员磉_為，電導率對上溫度線圖的斜率 。（2）摻雜程度：固態半導體的摻雜程度會造成電導率很大的變化 。增加摻雜程度會造成高電導率 。水溶液的電導率高低相依于其內含溶質鹽的濃度，或其它會分解為電解質的化學雜質 。水樣本的電導率是測量水的含鹽成分、含離子成分、含雜質成分等等的重要指標 。水越純凈 ， 電導率越低（電阻率越高） 。水的電導率時常以電導系數來紀錄；電導系數是水在 25°C 溫度的電導率 。
你問題中的乳濁液是什么？也許與NACL反應從而導致溶液中的離子濃度降低 。
penetration 和permeability的區別penetration英 [penɪ'treɪʃ(ə)n]美 [,pɛnɪ'treʃən]n. 滲透；突破；侵入；洞察力permeability英 [pɜːmɪə'bɪlɪtɪ]美 [,pɝmɪə'bɪləti]n. 滲透性；透磁率，導磁系數；彌漫
permeability什么意思permeability
n.滲透性；滲蝕度；【航】(氣球氣體的)透出量；【物】磁導率
通透性；滲透率；導磁率
復數：permeabilities
例句篩選
1.
The air permeability back board can be made of plastics or other materials.
透氣背板可用塑料或其他材料制成 。
2.
Curtain walling - Air permeability - Performance requirements andclassification.
幕墻.透氣率.性能要求和分類
高分子中permeance和permeability區別是什么？它們對應的中文叫什么？磁導 permeance
表征磁路導磁能力的參數 。在數值上用磁阻的倒數表示:∧=1/Rm 。單位名稱為亨[利]，單位符號為H 。參見“磁阻” 。
permeability一般指磁導率
磁導率 英文名稱：magnetic permeability 表征磁介質磁性的物理量 。表示在空間或在磁芯空間中的線圈流過電流后、產生磁通的阻力、或者是其在磁場中導通磁力線的能力、其公式μ=B/H 、其中H=磁場強度、B=磁感應強度 ， 常用符號μ表示，μ為介質的磁導率，或稱絕對磁導率 。
出水量小計算出的滲透系數大是否有問題：滲透系數滲透系數hydraulicconductivity/permeabilitycoefficienthydraulicconductivity/permeabilitycoefficient滲透系數正文表示巖土透水性能的數量指標 。亦稱水力傳導度 ?？捎蛇_西定律求得：q＝KI式中q為單位滲流量，也稱滲透速度（米/日）;K為滲透系數（米/日）；I為水力坡度,無量綱 ?？梢?當I＝1時，q＝K，表明滲透系數在數值上等于水力坡度為1時，通過單位面積的滲流量 。巖土的滲透系數愈大，透水性越強，反之越弱 。滲透系數的大小主要不取決于巖土空隙度的值，而取決于空隙的大小、形狀和連通性，也取決于水的粘滯性和容量，因此，溫度變化，水中有機物、無機物的成分和含量多少，均對滲透系數有影響 。在均質含水層中,不同地點具有相同的滲透系數;在非均質含水層中，滲透系數與水流方向無關，而在各向異性含水層中 ， 同一地點當水流方向不同時，具有不同的滲透系數值 。一般說來 ， 對于同一性質的地下水飽和帶中一定地點的滲透系數是常數；而非飽和帶的滲透系數隨巖土含水量而變，含水量減少時滲透系數急劇減少 。滲透系數是含水層的一個重要參數，當計算水井出水量、水庫滲漏量時都要用到滲透系數數值 。滲透系數的測定方法很多，可以歸納為野外測定和室內測定兩類 。室內測定法主要是對從現場取來的試樣進行滲透試驗 。野外測定法是依據穩定流和非穩定流理論，通過抽水試驗(在水井中抽水，并觀測抽水量和井水位)等方法，求得滲透系數 。與滲透系數密切相關的另一參數為導水系數(coef-ficientoftransmissivity)，它是滲透系數與含水層厚度的乘積，多用在地下水流的計算公式中 。對某一垂直于地下水流向的斷面來說，導水系數相當于水力坡度等于1時流經單位寬度含水層的地下水流量 。導水系數大,表明在同樣條件下，通過含水層斷面的水量大,反之則小 。導水系數只有當地下水二維流動時才有意義 ， 對于三維流動是沒有意義的 。滲透系數配圖滲透系數
permeability 是什么意思？一個水庫的水力壓裂通過電傳導設備控制，目的是增加其滲透性和地層的電傳導率 。
permeablity 滲透性
conductivity/resistivity是什么意思conductivity/resistivity
電導率/電阻率
.
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surface resistivity是什么意思[英][ˈsə:fis ˌri:zisˈtiviti][美][ˈsɚfəs ˌrizɪsˈtɪvɪti] ， 意思就是表面電阻系數，望采納謝謝
surface resistivity什么意思surface resistivity[英][ˈsə:fis ˌri:zisˈtiviti][美][ˈsɚfəs ˌrizɪsˈtɪvɪti]表面電阻系數;
electrical resistivity是什么意思electrical resistivity
電阻率
雙語對照
詞典結果：
electrical resistivity
電阻率;
resistivity
[英][ˌrɪzɪ'stɪvɪtɪ][美][ˌrɪzɪ'stɪvɪtɪ]
n.抵抗力 ， 電阻系數; 電阻率; 安定性;
例句:
1.
In this case, the rock gives a low radioactivity reading, which suggests that it is sand; itsresistivity is high, which suggests it is oil-bearing.
在這個例子中，巖石低放射性說明這是沙巖，而它的高電阻率則說明其中含油
electrical conductivity是什麼意思導電性或者導電率、導電度的意思
bulk electrical conductivity是什么意思bulk electrical conductivity
電導率
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thermal conductivity coefficient是什么意思thermal conductivity coefficient
英[ˈθə:məl ˌkɔndʌkˈtɪvɪti: ˌkəʊəˈfɪʃənt]
美[ˈθɚməl ˌkɑndʌkˈtɪvɪti ˌkoəˈfɪʃənt]
[釋義]熱導系數;
[網絡]導熱系數; 熱傳導系數;
[例句]The way and the mathematical model of using cast method to determine the sand mold's thermal conductivity coefficient are studied.
本文研究了應用澆注法測定砂型導熱系數的測試方法和數學模型 。
如有幫助請采納 ，
如對本題有疑問可追問 ， Good luck!
導熱性是什么...導熱性是物質傳導熱量的性能 。一般說導電性好的材料，其導熱性也好 。若某些零件在使用中需要大量吸熱或散熱時，則要用導熱性好的材料 。如凝汽器中的冷卻水管常用導熱性好的銅合金制造 ， 以提高冷卻效果 。
詞目：導熱性
英文：Thermal Conductivity
釋文：導熱性是對固體或液體傳熱的能力的衡量 。
導熱性能好的物體，往往吸熱快 ， 散熱也快 。
其大小用熱導系數來衡量，熱導系數定義：物體上下表面溫度相差1℃時，單位時間內通過導體橫截面的熱量 。符號：λ ，單位：W/（m·K）
純金屬的導熱性好，其中銀（約418.6）最好，銅（約393.5），鋁（約211.9）次之 ， 鎢（約166.2），鎂（約153.7）等再次之 。合金的導熱性比純金屬差 。
應用方面：
一般來說，在焊接，鑄造，鍛造，和熱處理等工藝就必須考慮其導熱性，防止材料在加熱或冷卻過程中其內外溫差過大，從而對材料造成變形和破壞等因素 。
THERMAL CONDUCTIVITY ON A ROLL翻譯THERMAL CONDUCTIVITY ON A ROLL
小寫為：thermal conductivity on a roll
直譯：導熱系數；超常發揮
在原文中可以翻譯為：在導熱材料這方面表現良好
解析：
thermal conductivity
導熱系數；熱導率
on a roll
運氣好；超常發揮；做得很順
finite和limit的區別finite表示有限的，其反義詞為無限的 。。。指數量偏多limited是沒有限制的 。泛指各種限制 。
hfss中的高次模如何判斷是什么模Ansoft HFSS 的邊界條件用Ansoft HFSS求解的波動方程是由微分形式的麥克斯韋方程推導出來的 。在這些場矢量和它們的導數是都單值、有界而且沿空間連續分布的假設下，這些表達式才可以使用 。在邊界和場源處 ， 場是不連續的，場的導數變得沒有意義 。因此，邊界條件確定了跨越不連續邊界處場的性質 。作為一個Ansoft HSS 用戶你必須時刻都意識到由邊界條件確定場的假設 。由于邊界條件對場有制約作用的假設，我們可以確定對仿真哪些邊界條件是合適的 。對邊界條件的不恰當使用將導致矛盾的結果 。當邊界條件被正確使用時，邊界條件能夠成功地用于簡化模型的復雜性 。事實上，Ansoft HSS 能夠自動地使用邊界條件來簡化模型的復雜性 。對于無源RF 器件來說 ， Ansoft HSS 可以被認為是一個虛擬的原型世界 。與邊界為無限空間的真實世界不同，虛擬原型世界被做成有限的 。為了獲得這個有限空間，Ansoft HSS使用了背景或包圍幾何模型的外部邊界條件 。模型的復雜性通常直接與求解問題所需的時間和計算機硬件資源直接聯系 。在任何可以提高計算機的硬件資源性能的時候 ， 提高計算機資源的性能對計算都是有利的 ?！?.2 一般邊界條件有三種類型的邊界條件 。第一種邊界條件的頭兩個是多數使用者有責任確定的邊界或確保它們被正確的定義 。材料邊界條件對用戶是非常明確的 。1、激勵源波端口（外部）集中端口（內部）2、表面近似對稱面理想電或磁表面輻射表面背景或外部表面3、材料特性兩種介質之間的邊界具有有限電導的導體§2.3 背景如何影響結構所謂背景是指幾何模型周圍沒有被任何物體占據的空間 。任何和背景有關聯的物體表面將被自動地定義為理想的電邊界（Perfect E）并且命名為外部（outer）邊界條件 。你可以把你的幾何結構想象為外面有一層很薄而且是理想導體的材料 。如果有必要 ， 你可以改變暴露于背景材料的表面性質，使其性質與理想的電邊界不同 。為了模擬有耗表面，你可以重新定義這個邊界為有限電導（Finite Conductivity ）或阻抗邊界（Impedance boundary） 。有限電導邊界可以是一種電導率和導磁率均為頻率函數的有耗材料 。阻抗邊界默認在所有頻率都具有相同的實數或復數值 。為了模擬一個允許波進入空間輻射無限遠的表面 ， 重新定義暴露于背景材料的表面為輻射邊界（Radiation Boundary） 。背景能夠影響你怎樣給材料賦值 。例如，你要仿真一個充滿空氣的矩形波導，你可以創建一個具有波導形狀特性為空氣的簡單物體 。波導表面自動被假定為良導體而且給出外部（outer）邊界條件，或者你也可以把它變成有損導體 ?！?.4 邊界條件的技術定義激勵（Excitation）——激勵端口是一種允許能量進入或導出幾何結構的邊界條件 。理想電邊界（Perfect E）——Perfect E是一種理想電導體或簡稱為理想導體 。這種邊界條文檔沖億季，好禮樂相隨mini ipad移動硬盤拍立得百度書包件的電?。?E-Field）垂直于表面 。有兩種邊界被自動地賦值為理想電邊界 。1、任何與背景相關聯的物體表面將被自動地定義為理想電邊界并且命名為outer的外部邊界條件 。2、任何材料被賦值為PEC（理想電導體）的物體的表面被自動的賦值為理想電邊界并命為smetal邊界 。理想磁邊界（Perfect H）——Perfect H是一種理想的磁邊界 。邊界面上的電場方向與表面相切 。自然邊界（Natural）——當理想電邊界與理想磁邊界出現交疊時，理想磁邊界也被稱為Natural邊界 。理想磁邊界與理想電邊界交疊的部分將去掉理想電邊界特性 ， 恢復所選擇區域為它以前的原始材料特性 。它不會影響任何材料的賦值 。例如，可以用它來模擬地平面上的同軸線饋源圖案 。有限電導率（Finite Conductivity）邊界——有限電導率邊界將使你把物體表面定義有耗（非理想）的導體 。它是非理想的電導體邊界條件 。并且可類比為有耗金屬材料的定義 。為了模擬有耗表面 ， 你應提供以西門子/米（Siemens/meter）為單位的損耗參數以及導磁率參數 。計算的損耗是頻率的函數 。它僅能用于良導體損耗的計算 。其中電場切線分量等于Zs(n xHtan) 。表面電阻（Zs）就等于(1+j)/(ds) 。其中，d 是趨膚深度；導體的趨膚深度為w 是激勵電磁波的頻率. s 是導體的電導率μ是導體的導磁率阻抗邊界（Impedance）——一個用解析公式計算場行為和損耗的電阻性表面 。表面的切向電場等于Zs(n xHtan) 。表面的阻抗等于Rs + jXs 。其中，Rs是以ohms/square為單位的電阻Xs 是以ohms/square為單位的電抗分層阻抗（Layered Impedance）邊界——在結構中多層薄層可以模擬為阻抗表面 。使用分層阻抗邊界條件進一步的信息可以在在線幫助中尋找 。集總RLC（Lumped RLC）邊界——一組并聯的電阻、電感和電容組成的表面 。這種仿真類似于阻抗邊界，只是利用用戶提供的R、L和C值計算出以ohms/square為單位的阻抗值 。無限地平面（Infinite Ground Plane）——通常，地面可以看成是無限的、理想電壁、有限電導率或者是阻抗的邊界條件 。如果結構中使用了輻射邊界，地面的作用是對遠區場能量的屏蔽物，防止波穿過地平面傳播 。為了模擬無限大地平面的效果，在我們定義理想電邊界、有限電導或阻抗邊界條件時，在無限大地平面的框子內打勾 。輻射邊界（Radiation）——輻射邊界也被稱為吸收邊界 。輻射邊界使你能夠模擬開放的表面 。即，波能夠朝著輻射邊界的方向輻射出去 。系統在輻射邊界處吸收電磁波，本質上就可把邊界看成是延伸到空間無限遠處 。輻射邊界可以是任意形狀并且靠近結構 。這就排除了對球形邊界的需要 。對包含輻射邊界的結構 ， 計算的S參數包含輻射損耗 。當結構中包含輻射邊界時，遠區場計算作為仿真的一部分被完成 。§2.5 激勵技術綜述端口是唯一一種允許能量進入和流出幾何結構的邊界類型 。你可以把端口賦值給一個兩維物體或三維物體的表面 。在幾何結構中三維全波電磁場被計算之前，必須確定在每一個端口激勵場的模式 。Ansoft HFSS 使用任意的端口解算器計算自然的場模式或與端口截面相同的傳輸線存在的模式 。導致兩維場模式作為全三維問題的邊界條件 。Ansoft HFSS默認所有的幾何結構都被完全裝入一個導電的屏蔽層 ， 沒有能量穿過這個屏蔽層 。當你應用波端口（Wave Ports）于你的幾何結構時 ， 能量通過這個端口進入和離開這個屏蔽層 。作為波端口的替代品 ， 你可以在幾何結構內應用集中參數端口（Lumped Ports） 。集中參數端口在模擬結構內部的端口時非常有用 ?！?.5.1 波端口（Wave Ports）端口解算器假定你定義的波端口連接到一個半無限長的波導，該波導具有與端口相同的截面和材料 。每一個端口都是獨立地激勵并且在端口中每一個入射模式的平均功率為1瓦 。波端口計算特性阻抗、復傳播常數和S參數 。波動方程在波導中行波的場模式可以通過求解Maxwell方程獲得 。下面的由Maxwell方程推出的方程使用兩維解算器求解 。其中：是諧振電場的矢量表達式；是自由空間的波數；是復數相對導磁率；是復數相對介電常數 。求解這個方程，兩維解算器得到一個矢量解形式的激勵場模式 。這些矢量解與和無關，只要在矢量解后面乘上它們就變成了行波 。另外，我們注意到激勵場模式的計算只能在一個頻率 。在每一個感興趣的頻率，計算出的激勵場模式可能會不一樣 ?！?.5.2 模式（Modes）對于給定橫截面的波導或傳輸線 ， 特定頻率下有一系列的場模式滿足麥克斯維方程組 。這些模式的線性疊加都可以在波導中存在 。模式轉換某些情況下，由于幾何結構的作用像一個模式變換器 ， 計算中包括高階模式的影響是必須的 。例如，當模式1（主模）從某一結構的一個端口（經過該結構）轉換到另外一個端口的模式2時，我們有必要得到模式2下的S參數 。模式，反射和傳播在單一模式的信號激勵下 ， 三維場的解算結果中仍然可能包含由于高頻結構不均勻引起的高次模反射 。如果這些高次模反射回激勵源端口 ， 或者傳輸到下一個端口，那么和這些高次模相關的S參數就必須被考慮 。如果高次模在到達任何端口前，得到衰減（這些衰減由金屬損耗或者傳播常數中的衰減部分所造成），那么我們就可以不考慮這些高次模的S參數 。模式和頻率一般來說，和每種模式相關的場模式也許會隨頻率的改變而變化 。然而，傳播常數和特性阻抗總是隨頻率變化的 。因此，需要頻掃時，在每一個頻率點，都應有相應的解算 。通常，隨著頻率的增加，高次模出現的可能性也相應的增加 。模式和S參數當每個端口的定義都正確時，仿真中包括的每個模式，在端口處都是完全匹配的 。因此，每個模式的S參數和波端口，將會根據不同頻率下的特性阻抗進行歸一化 。這種類型的S參數叫做廣義的S參數 。實驗測量，例如矢量網絡分析儀，以及電路仿真器中使用的特性阻抗是常數（這使得端口在各個頻率下不是完全匹配） 。為了使計算結果 ， 和實驗及電路仿真得到的測量結果保持一致 ， 由HFSS得到的廣義S參數必須用常數特性阻抗進行歸一化 。如何歸一化 ， 參看波端口校準 。注解：對廣義S參數歸一化的失敗 ， 會導致結果的不一致 。例如，既然波端口在每一個頻點都完全匹配 ， 那么S參數將不會表現出各個端口間的相互作用 ， 而實際上 ， 在為常數的特性阻抗端口中，這種互作用是存在的 。§2.5.3 波端口的邊界條件：波端口邊緣有以下所述的邊界條件：理想導體或有限電導率邊界—在默認條件下 ， 波端口邊緣的外部定義為理想導體 。在這種假設條件下 ， 端口定義在波導之內 。對于被金屬包裹傳輸線結構，這是沒問題的 。而對于非平衡或者沒被金屬包圍的傳輸線，在周圍介質中的場必須被計算，不正確的端口尺寸將會產生錯誤的結果 。對稱面——端口解算器可以理解理想電對稱面（Perfect E symmetry）和理想磁對稱面（Perfect H symmetry）面 。使用對稱面時，需要填入正確的阻抗倍增數 。阻抗邊界——端口解算將識別出端口邊緣處的阻抗邊界 。輻射邊界——在波端口和輻射邊界之間默認的設置是理想導體邊界 ?！?.5.4 波端口校準：一個添加到幾何結構的波端口必須被校準以確保一致的結果 。為了確定場的方向和極性以及計算電壓 ， 校準是必要的 ?！?.5.5求解類型:模式驅動對于模式驅動的仿真，波端口使用積分線校準 。每一條用于校準的積分線線都具有以下的特性：阻抗：作為一個阻抗線 ， 這條線作為Ansoft HFSS在端口對電場進行積分計算電壓的積分路徑 。Ansoft HFSS利用這個電壓計算波端口的特性阻抗 。這個阻抗對廣義S參數的歸一化是有用的 。通常，這個阻抗指定為特定的值，例如，50歐姆 。注意：如果你想有能力歸一化特性阻抗或者想觀察Zpv或Zvi的值就必須在端口設定積分線 。校準：作為一條校準線，這條線明確地確定每一個波端口向上或正方向 。在任何一個波端口，時的場的方向至少是兩個方向中的一個 。在同一端口，例如圓端口，有兩個以上的可能的方向 ， 這樣你將希望使用極化（Polarize）電場的選項 。如果你不定義積分線，S參數的計算結果也許與你的期望值不一致 。提示：也許你需要首先運行端口解（ports-only solution ），幫助你確定如何設置積分線和它的方向 。為了用積分線校準一個已經定義的波端口，要做一下操作：在項目樹（Project Tree）中打開激勵（Excitations），并雙擊被校準的波端口 。2. 選擇模型（Modes）列表 。3. 從列表中為第一個模型選擇積分線（Integration Line）一列 。然后，選擇新線（New Line） 。4. 使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的x,y和z坐標 。關于坐標系更多的信息，請參閱XX章 。在繪圖窗口的點擊 。這條線顯示為矢量 ， 指明了方向 。如需要改變線段的方向，在積分線（Integration Line）一列，選擇切換終點（Swap Endpoints） 。5. 重復3、4步 ， 設置該端口其它模式的積分線 。6. 完成積分線定義后點擊OK 。7. 重復1－6步，設置其它波端口的積分線 。關于阻抗線Ansoft HFSS開始計算的S矩陣值是對每個端口的阻抗進行歸一化的結果 。然而，我們經常希望計算對某一個特定阻抗如50歐姆歸一化的S矩陣 。為了將廣義S矩陣轉化成歸一化S矩陣，Ansoft HFSS需要計算各端口的特征阻抗 。計算特征阻抗的方法有很多種（Zpi, Zpv, Zvi） 。Ansoft HFSS始終會計算Zpi 。這個阻抗的計算使用波端口處的功率和電流 。另外兩種方法Zpv 和Zvi 需要計算電壓的積分線 。利用每一個模式的積分線，可以計算出電壓值 。一般來說 ， 阻抗線應該定義在電壓差值最大方向上的兩點之間 。如果你要分析多個模式，由于電場方向的變化，需對每個模式分別定義不同的阻抗線 。關于校準線：在計算波端口激勵的場模式時,場在ωt＝0時的方向是任意的且指向至少兩個方向中的一個 。利用參考方向或參考起點 ， 積分線能夠校準端口 。需確認每一個端口定義的積分線參考方向都與類似或相同截面端口的參考方向相同 。用這種方法，試驗室的測量（通過移去幾何結構，兩個端口連接在一起的方法校正設置）得以重現 。由于校準線僅僅確定激勵信號的相位和行波，系統在只對端口解算（ports-only solution ）時可以將其忽略不計 。§2.5.6求解類型:終端驅動Ansoft HFSS計算的以模式為基礎的S矩陣表示了波導模式入射和反射功率的比值 。上面的方法 ， 不能準確地描述那些有多個準橫電磁波（TEM）模式同時傳播的問題 。這種支持多個準橫電磁波（TEM）模式的結構有耦合傳輸線或接頭等 。它們通常使用端口S參數 。需要用終端線校準已定義的波端口：在項目樹（Project Tree）中打開激勵（Excitations） ， 并雙擊被校準的波端口 。2. 選擇終端（Terminals）列表 。3. 從列表中為第一個模型選擇終端線（Terminal Line）一列 。然后，選擇新線（New Line） 。4. 使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的x,y和z坐標 。關于坐標系更多的信息，請參閱XX章 。在繪圖窗口的點擊 。這條線顯示為矢量，指明了方向 。如需要改變線段的方向，在終端線（Terminal Line）一列，選擇切換終點（Swap Endpoints） 。5. 重復3、4步，設置該端口其它終端線 。6. 完成終端線定義后點擊OK 。7. 重復1－6步，設置其它波端口的終端線 。關于終端線：終端的S參數反映的是波端口節點電壓和電流的線性疊加 。通過節點電壓和電流端口的導納、阻抗和贗S參數矩陣就能被確定 。對每個與導體相交的端口，Ansoft HFSS自動將模式解轉變成終端解 。一般來說，一個單終端線都是建立在參考面或“地”導體與每一個端口的導體之間 。電壓的參考極性用終端線的箭頭確定，頭部（＋）為證，尾部（—）為負 。來的 。如果你決定建立了終端線，你就必須在每一個端口和每端口都建立終端線 ?！?.5.7 定義波斷口的幾點考慮波端口的定位：露于背景的面設定為波端口 。背景已經被命名為Outer. 因此，一個面如果表露于背景則它與outer相連 。用戶可以通過主菜單HFSSèBoundary Display（Solver View）選擇所有的區域定位 。從Solver View of Boundaries，點擊Visibility查看outer 。內部波端口：結構內部定義波端口 ， 你必須在內部建立一個不存在的空間或者在已存在物體內側選擇一個面并將它的材料定義成為理想導體 。內部不存在的空間自動將邊界賦值為outer 。你可以創建一個整個由其它物體包圍的內部空間，然后，從這個物體中剪掉這個空間 。端口平面：端口設在單一平面 。不允許端口平面彎曲 。例如：一個幾何體有一個彎曲的表面，該表面暴露于背景，則這個彎曲的表面不能被定義成波端口 。§2.5.8 端口要求一定長度的均勻橫截面Ansoft HFSS假定你所定義的每個端口都與連接到一個于端口具有相同橫截面的半無限長波導 。但求解S參數時，仿真器假定其幾何結構被具有這些截面的自然模式激勵 。下面的圖將說明這些橫截面 。第一個圖顯示直接在結構外面的導體表面定義了波端口 。第二張圖顯示，模型結構必須添加均勻橫截面部分 。左邊模型結構有誤，原因是在模型兩個端口都沒有均勻橫截面的部分 。為了正確建模，需在每個波端口處添加一段均勻橫截面的傳輸線 ， 如右圖所示 。均勻橫截面部分的長度必須足夠的長，這樣才能保證截止模式逐漸消失 。以保證仿真結果的精確 。例如：如果一個截止模式由于損耗和模式截止大約經過1/8波長逐漸消逝了，這就需要構造一個長度為1/8波長的均勻波導段 。否則，仿真結果中一定會包含高次諧波的影響 。在端口處附近的不連續性同樣可以使截止模式傳播到端口 。如果端口放置在很靠近不連續性處，由于端口處的邊界條件導致仿真結果與對應的真實值不同（即：系統迫使每一個端口都是你要求求解模式的線性疊加） 。截止模式中的能量傳播到端口將會影響主模的能量并產生錯誤的結果 。如果波在Z方向上傳播 ， 模式的削減可以用函數 。因此，所需的距離（均勻端口長度）由模式的傳播常數值決定 。當端口長度設置正確時，在端口處仿真的模為理想匹配，如同波導延伸至無窮遠處一般 。對仿真中沒有包含的模，波端口可被看成理想導體 。§2.5.9 端口和多重傳播模式每個高次模都表現為沿著波導傳播的不同的場模式 。通常，仿真中應包括所有的傳播模式 。在大多數情況下，你可以接受默認的單模模式，但是對那些傳播高次模的問題，我們需要改變默認設置，將其改變成多模模式 。如果實際傳播模式數比你指定指定的模式數多，就會產生錯誤的結果 。模式的數量隨端口不同而不同 。傳播模式傳播模式是指那些具有傳播常數β（rad/m）并且β遠大于衰減常數α（Np/meter）的模式 。用下面的方法可確定那些仿真問題中應包括的模式，首先設置成不包括自適應解的多模模式問題，然后求解 。在完成分析之后檢驗每個模的復傳播常數（Gamma）γ=α+β：為了能夠在完成分析之后檢驗每個模的復傳播常數：在HFSS的Analysis Setup菜單中，選擇Matrix Data 。2. 此時會彈出一個對話框如下圖所示 。選擇Gamma并改變顯示類型為Real/Imaginary 。在端口每一個附加的模式將產生一組附加的S參數 。假如，在一個3端口器件中每個端口設置2個模進行分析，其最終結果是一個6×6的S參量矩陣 。一般來說 ， n端口的解是由所有端口的激勵數、模式數加上源的數量 。如果在仿真中不包含高次模，則需確認波端口有足夠的長的均勻段，使截止模凋落且不會產生反射 ?！?.5.10 波端口和對稱面──阻抗倍乘當由于使用對稱面使端口的尺寸減少時 ， 為計算電壓損耗和功率流需要調整端口阻抗 。理想電對稱面（Perfect E Symmetry plane）,阻抗倍乘因子為2 。該模型的電壓差和功率流只有整個結構的1/2，導致計算出的阻抗也只有整個結構的1/2 。只有模型算出的阻抗乘2以后，其阻抗值才與實際結構相同 。理想磁對稱面（Perfect H Symmetry plane），阻抗倍乘因子為0.5 。該模型計算的電壓差與整個結構相同，但功率流只有整個結構的1/2，所以 ， 算出的阻抗為整體結構的2倍 。所以，阻抗倍乘因子為0.5 。如果整體結構同時包含理想電對稱面和理想磁對稱面，則無需調整 。也就是說，無需調整同時含有理想電邊界和理想磁邊界的結構輸入阻抗倍乘數，因為理想磁對稱面的阻抗倍乘因子為0.5 ， 理想電對稱面的阻抗倍乘因子為2 。兩個阻抗倍乘因子相乘等于1 。
hfss如何設置邊界及激勵Ansoft HFSS
的邊界條件
用
Ansoft
HFSS
求解的波動方程是由微分形式的麥克斯韋方程推導出來的 。在這些場矢
量和它們的導數是都單值、有界而且沿空間連續分布的假設下 ， 這些表達式才可以使用 。在
邊界和場源處，場是不連續的，場的導數變得沒有意義 。因此 ， 邊界條件確定了跨越不連續
邊界處場的性質 。
作為一個
Ansoft
HSS
用戶你必須時刻都意識到由邊界條件確定場的假設 。由于邊界條
件對場有制約作用的假設，我們可以確定對仿真哪些邊界條件是合適的 。對邊界條件的不恰
當使用將導致矛盾的結果 。
當邊界條件被正確使用時 ，
邊界條件能夠成功地用于簡化模型的復雜性 。
事實上，
Ansoft
HSS
能夠自動地使用邊界條件來簡化模型的復雜性 。
對于無源
RF
器件來說，
Ansoft HSS
可
以被認為是一個虛擬的原型世界 。與邊界為無限空間的真實世界不同 ， 虛擬原型世界被做成
有限的 。為了獲得這個有限空間，
Ansoft HSS
使用了背景或包圍幾何模型的外部邊界條件 。
模型的復雜性通常直接與求解問題所需的時間和計算機硬件資源直接聯系 。在任何可以
提高計算機的硬件資源性能的時候，提高計算機資源的性能對計算都是有利的 。
§
2.2
一般邊界條件
有三種類型的邊界條件 。第一種邊界條件的頭兩個是多數使用者有責任確定的邊界或確
保它們被正確的定義 。材料邊界條件對用戶是非常明確的 。
1
、
激勵源
波端口（外部）
集中端口（內部）
2
、
表面近似
對稱面
理想電或磁表面
輻射表面
背景或外部表面
3
、
材料特性
兩種介質之間的邊界
具有有限電導的導體
§
2.3
背景如何影響結構
所謂背景是指幾何模型周圍沒有被任何物體占據的空間 。
任何和背景有關聯的物
體表面將被自動地定義為理想的電邊界（
Perfect
E
）并且命名為外部（
outer
）邊界條件 。你
可以把你的幾何結構想象為外面有一層很薄而且是理想導體的材料 。
如果有必要 ， 你可以改變暴露于背景材料的表面性質 ， 使其性質與理想的電邊界不同 。
為了模擬有耗表面，你可以重新定義這個邊界為有限電導（
Finite Conductivity
）或阻抗邊界
（
Impedance boundary
）
。
有限電導邊界可以是一種電導率和導磁率均為頻率函數的有耗材料 。
阻抗邊界默認在所有頻率都具有相同的實數或復數值 。為了模擬一個允許波進入空間輻射無
限遠的表面，重新定義暴露于背景材料的表面為輻射邊界（
Radiation Boundary
）
。
背景能夠影響你怎樣給材料賦值 。例如，
你要仿真一個充滿空氣的矩形波導 ，
你
可以創建一個具有波導形狀特性為空氣的簡單物體 。波導表面自動被假定為良導體而且給出
外部（
outer
）邊界條件，或者你也可以把它變成有損導體 。
§
2.4
邊界條件的技術定義
激勵（
Excitation
）
——
激勵端口是一種允許能量進入或導出幾何結構的邊界條件 。
理想電邊界
（
Perfect E
）
——
Perfect E
是一種理想電導體或簡稱為理想導體 。
這種邊界條
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件的電?。?br>E-Field
）垂直于表面 。有兩種邊界被自動地賦值為理想電邊界 。
1
、
任何與背景相關聯的物體表面將被自動地定義為理想電邊界并且命名為
outer
的外
部邊界條件 。
2
、
任何材料被賦值為
PEC
（理想電導體）的物體的表面被自動的賦值為理想電邊界
并命為
smetal
邊界 。
理想磁邊界（
Perfect
H
）
——
Perfect
H
是一種理想的磁邊界 。邊界面上的電場方向與表
面相切 。
自然邊界（
Natural
）
——
當理想電邊界與理想磁邊界出現交疊時，理想磁邊界也被稱為
Natural
邊界 。理想磁邊界與理想電邊界交疊的部分將去掉理想電邊界特性，恢復所選擇區域
為它以前的原始材料特性 。它不會影響任何材料的賦值 。例如，可以用它來模擬地平面上的
同軸線饋源圖案 。
有限電導率（
Finite Conductivity
）邊界
——
有限電導率邊界將使你把物體表面定
義有耗（非理想）的導體 。它是非理想的電導體邊界條件 。并且可類比為有耗金屬材料的定
義 。為了模擬有耗表面，你應提供以西門子
/
米（
Siemens/meter
）為單位的損耗參數以及導磁
率參數 。計算的損耗是頻率的函數 。它僅能用于良導體損耗的計算 。其中電場切線分量等于
Zs(n xHtan)
。表面電阻（
Zs
）就等于
(1+j)/(ds)
。其中，
d
是趨膚深度；導體的趨膚深度為
w
是激勵電磁波的頻率
.
s
是導體的電導率
µ
是導體的導磁率
阻抗邊界（
Impedance
）
——
一個用解析公式計算場行為和損耗的電阻性表面 。表面的切
向電場等于
Zs(n xHtan)
。表面的阻抗等于
Rs + jXs
。其中，
Rs
是以
ohms/square
為單位的電阻
Xs
是以
ohms/square
為單位的電抗
分層阻抗（
Layered
Impedance
）邊界
——
在結構中多層薄層可以模擬為阻抗表面 。使用
分層阻抗邊界條件進一步的信息可以在在線幫助中尋找 。
集總
RLC
（
Lumped RLC
）邊界
——
一組并聯的電阻、電感和電容組成的表面 。這種仿
真類似于阻抗邊界，
只是軟件利用用戶提供的
R
、
L
和
C
值計算出以
ohms/square
為單位的阻
抗值 。
無限地平面（
Infinite
Ground
Plane
）
——
通常，地面可以看成是無限的、理想電壁、有
限電導率或者是阻抗的邊界條件 。如果結構中使用了輻射邊界，地面的作用是對遠區場能量
的屏蔽物，防止波穿過地平面傳播 。為了模擬無限大地平面的效果，
在我們定義理想電邊界、
有限電導或阻抗邊界條件時 ， 在無限大地平面的框子內打勾 。
輻射邊界（
Radiation
）
——
輻射邊界也被稱為吸收邊界 。輻射邊界使你能夠模擬開放的
表面 。即，波能夠朝著輻射邊界的方向輻射出去 。系統在輻射邊界處吸收電磁波 ， 本質上就
可把邊界看成是延伸到空間無限遠處 。輻射邊界可以是任意形狀并且靠近結構 。這就排除了
對球形邊界的需要 。對包含輻射邊界的結構，計算的
S
參數包含輻射損耗 。當結構中包含輻
射邊界時，遠區場計算作為仿真的一部分被完成 。
§
2.5
激勵技術綜述
端口是唯一一種允許能量進入和流出幾何結構的邊界類型 。
你可以把端口賦值給
一個兩維物體或三維物體的表面 。在幾何結構中三維全波電磁場被計算之前 ， 必須確定在每
一個端口激勵場的模式 。
Ansoft
HFSS
使用任意的端口解算器計算自然的場模式或與端口截
面相同的傳輸線存在的模式 。導致兩維場模式作為全三維問題的邊界條件 。
Ansoft HFSS
默認所有的幾何結構都被完全裝入一個導電的屏蔽層，沒有能量穿
過這個屏蔽層 。當你應用波端口（
Wave Ports
）于你的幾何結構時，能量通過這個端口進入和
離開這個屏蔽層 。
作為波端口的替代品 ， 你可以在幾何結構內應用集中參數端口（
Lumped Ports
）
。
集中參數端口在模擬結構內部的端口時非常有用 。
§
2.5.1
波端口（
Wave Ports
）
端口解算器假定你定義的波端口連接到一個半無限長的波導 ，
該波導具有與端口
相同的截面和材料 。
每一個端口都是獨立地激勵并且在端口中每一個入射模式的平均功率為
1
瓦 。波端口計算特性阻抗、復傳播常數和
S
參數 。
波動方程
在波導中行波的場模式可以通過求解
Maxwell
方程獲得 。
下面的由
Maxwell
方程
推出的方程使用兩維解算器求解 。
其中：
是諧振電場的矢量表達式；
是自由空間的波數；
是復數相對導磁率；
是復數相對介電常數 。
求解這個方程，
兩維解算器得到一個矢量解形式的激勵場模式 。
這些矢量解與和
無關，只要在矢量解后面乘上它們就變成了行波 。
另外 ， 我們注意到激勵場模式的計算只能在一個頻率 。在每一個感興趣的頻率，
計算出的激勵場模式可能會不一樣 。
§
2.5.2
模式（
Modes
）
對于給定橫截面的波導或傳輸線，特定頻率下有一系列的場模式滿足麥克斯維方程組 。
這些模式的線性疊加都可以在波導中存在 。
模式轉換
某些情況下 ， 由于幾何結構的作用像一個模式變換器，計算中包括高階模式的
影響是必須的 。例如 ， 當模式
1
（主模）從某一結構的一個端口（經過該結構）轉換到另外一
個端口的模式
2
時，我們有必要得到模式
2
下的
S
參數 。
模式，反射和傳播
在單一模式的信號激勵下 ， 三維場的解算結果中仍然可能包含由于高頻結構不
均勻引起的高次模反射 。如果這些高次模反射回激勵源端口，或者傳輸到下一個端口，那么
和這些高次模相關的
S
參數就必須被考慮 。如果高次模在到達任何端口前，得到衰減（這些
衰減由金屬損耗或者傳播常數中的衰減部分所造成）
，
那么我們就可以不考慮這些高次模的
S
參數 。
模式和頻率
一般來說 ， 和每種模式相關的場模式也許會隨頻率的改變而變化 。
然而，傳播
常數和特性阻抗總是隨頻率變化的 。因此，需要頻掃時，在每一個頻率點，都應有相應的解
算 。通常，隨著頻率的增加，高次模出現的可能性也相應的增加 。
模式和
S
參數
當每個端口的定義都正確時，仿真中包括的每個模式，在端口處都是完全匹配的 。
因此，每個模式的
S
參數和波端口，將會根據不同頻率下的特性阻抗進行歸一化 。這種類型
的
S
參數叫做廣義的
S
參數 。
實驗測量 ， 例如矢量網絡分析儀，以及電路仿真器中使用的特性阻抗是常數（這使
得端口在各個頻率下不是完全匹配）
。
為了使計算結果，和實驗及電路仿真得到的測量結果保持一致 ， 由
HFSS
得到的廣
義
S
參數必須用常數特性阻抗進行歸一化 。如何歸一化，參看波端口校準 。
注解：對廣義
S
參數歸一化的失敗，會導致結果的不一致 。例如，既然波端口在每一個
頻點都完全匹配，那么
S
參數將不會表現出各個端口間的相互作用，而實際上，在為常數的
特性阻抗端口中 ， 這種互作用是存在的 。
§
2.5.3
波端口的邊界條件：
波端口邊緣有以下所述的邊界條件：
理想導體或有限電導率邊界
—
在默認條件下，波端口邊緣的外部定義為理想導體 。
在這種假設條件下，端口定義在波導之內 。對于被金屬包裹傳輸線結構，這是沒問題的 。而
對于非平衡或者沒被金屬包圍的傳輸線，在周圍介質中的場必須被計算，不正確的端口尺寸
將會產生錯誤的結果 。
對稱面
——
端口解算器可以理解理想電對稱面（
Perfect E symmetry
）和理想磁對稱
面（
Perfect H symmetry
）面 。使用對稱面時，需要填入正確的阻抗倍增數 。
阻抗邊界
——
端口解算將識別出端口邊緣處的阻抗邊界 。
輻射邊界
——
在波端口和輻射邊界之間默認的設置是理想導體邊界 。
§
2.5.4
波端口校準：
一個添加到幾何結構的波端口必須被校準以確保一致的結果 。
為了確定場的方向和
極性以及計算電壓，校準是必要的 。
§
2.5.5
求解類型
:
模式驅動
對于模式驅動的仿真，
波端口使用積分線校準 。
每一條用于校準的積分線線都具有
以下的特性：
阻抗：作為一個阻抗線，這條線作為
Ansoft HFSS
在端口對電場進行積分計算電壓
的積分路徑 。
Ansoft
HFSS
利用這個電壓計算波端口的特性阻抗 。這個阻抗對廣義
S
參數的
歸一化是有用的 。通常，這個阻抗指定為特定的值 ， 例如，
50
歐姆 。
注意：
如果你想有能力歸一化特性阻抗或者想觀察
Zpv
或
Zvi
的值就必須在端口設
定積分線 。
校準：作為一條校準線，這條線明確地確定每一個波端口向上或正方向 。在任何一個波
端口，
時的場的方向至少是兩個方向中的一個 。在同一端口，例如圓端口，有兩個以上的可
能的方向，這樣你將希望使用極化（
Polarize
）電場的選項 。如果你不定義積分線 ，
S
參數的
計算結果也許與你的期望值不一致 。
提示：
也許你需要首先運行端口解
（
ports-only solution
）
，
幫助你確定如何設置積分線和
它的方向 。
為了用積分線校準一個已經定義的波端口，要做一下操作：
1.
在項目樹（
Project Tree
）中打開激勵（
Excitations
）
， 并雙擊被校準的波端口 。
2.
選擇模型（
Modes
）列表 。
3.
從列表中為第一個模型選擇積分線
（
Integration Line
）
一列 。
然后，
選擇新線
（
New
Line
）
。
4.
使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：
直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的
x,y
和
z
坐標 。關于坐標系更多的信息，請
參閱
XX
章 。
在繪圖窗口的點擊 。這條線顯示為矢量，指明了方向 。如需要改變線段的方向，在積分
線（
Integration Line
）一列 ， 選擇切換終點（
Swap Endpoints
）
。
5.
重復
3
、
4
步，設置該端口其它模式的積分線 。
6.
完成積分線定義后點擊
OK
。
7.
重復
1
－
6
步，設置其它波端口的積分線 。
關于阻抗線
Ansoft
HFSS
開始計算的
S
矩陣值是對每個端口的阻抗進行歸一化的結果 。然而，我們
經常希望計算對某一個特定阻抗如
50
歐姆歸一化的
S
矩陣 。為了將廣義
S
矩陣轉化成歸一化
S
矩陣 ，
Ansoft HFSS
需要計算各端口的特征阻抗 。計算特征阻抗的方法有很多種（
Zpi, Zpv,
Zvi
）
。
Ansoft HFSS
始終會計算
Zpi
。這個阻抗的計算使用波端口處的功率和電流 。另外兩種方
法
Zpv
和
Zvi
需要計算電壓的積分線 。利用每一個模式的積分線 ， 可以計算出電壓值 。
一般來說 ，
阻抗線應該定義在電壓差值最大方向上的兩點之間 。
如果你要分析多個模式，
由于電場方向的變化，需對每個模式分別定義不同的阻抗線 。
關于校準線：
在計算波端口激勵的場模式時
,
場在
ωt
＝
0
時的方向是任意的且指向至少兩個方向中的一
個 。利用參考方向或參考起點，積分線能夠校準端口 。需確認每一個端口定義的積分線參考
方向都與類似或相同截面端口的參考方向相同 。用這種方法 ， 試驗室的測量（通過移去幾何
結構，兩個端口連接在一起的方法校正設置）得以重現 。
由于校準線僅僅確定激勵信號的相位和行波，
系統在只對端口解算
（
ports-only solution
）
時可以將其忽略不計 。
§
2.5.6
求解類型
:
終端驅動
Ansoft
HFSS
計算的以模式為基礎的
S
矩陣表示了波導模式入射和反射功率的比值 。上
面的方法 ， 不能準確地描述那些有多個準橫電磁波（
TEM
）模式同時傳播的問題 。這種支持
多個準橫電磁波（
TEM
）模式的結構有耦合傳輸線或接頭等 。它們通常使用端口
S
參數 。
需要用終端線校準已定義的波端口：
1.
在項目樹（
Project Tree
）中打開激勵（
Excitations
）
，并雙擊被校準的波端口 。
2.
選擇終端（
Terminals
）列表 。
3.
從列表中為第一個模型選擇終端線
（
Terminal Line
）
一列 。
然后，
選擇新線
（
New
Line
）
。
4.
使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：
直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的
x,y
和
z
坐標 。關于坐標系更多的信息，請
參閱
XX
章 。
在繪圖窗口的點擊 。這條線顯示為矢量，指明了方向 。如需要改變線段的方向，在終端
線（
Terminal Line
）一列，選擇切換終點（
Swap Endpoints
）
。
5.
重復
3
、
4
步，設置該端口其它終端線 。
6.
完成終端線定義后點擊
OK
。
7.
重復
1
－
6
步，設置其它波端口的終端線 。
關于終端線：
終端的
S
參數反映的是波端口節點電壓和電流的線性疊加 。通過節點電壓和電流端口的
導納、阻抗和贗
S
參數矩陣就能被確定 。
對每個與導體相交的端口，
Ansoft HFSS
自動將模式解轉變成終端解 。
一般來說，一個單終端線都是建立在參考面或
“
地
”
導體與每一個端口的導體之間 。
電壓的參考極性用終端線的箭頭確定，頭部（＋）為證，尾部（
—
）為負 。來的 。如果
你決定建立了終端線，你就必須在每一個端口和每端口都建立終端線 。
§
2.5.7
定義波斷口的幾點考慮
波端口的定位：
露于背景的面設定為波端口 。背景已經被命名為
Outer.
因此 ， 一個面如果表露于背景則
它與
outer
相連 。用戶可以通過主菜單
HFSSè
Boundary
Display
（
Solver
View
）選擇所有的區
域定位 。從
Solver View of Boundaries
，點擊
Visibility
查看
outer
。
內部波端口：
結構內部定義波端口，你必須在內部建立一個不存在的空間或者在已存在物體內側選擇
一個面并將它的材料定義成為理想導體 。內部不存在的空間自動將邊界賦值為
outer
。你可以
創建一個整個由其它物體包圍的內部空間，然后，從這個物體中剪掉這個空間 。
端口平面：
端口設在單一平面 。不允許端口平面彎曲 。例如：一個幾何體有一個彎曲的表面 ， 該表
面暴露于背景 ， 則這個彎曲的表面不能被定義成波端口 。
§
2.5.8
端口要求一定長度的均勻橫截面
Ansoft
HFSS
假定你所定義的每個端口都與連接到一個于端口具有相同橫截面的半無限
長波導 。但求解
S
參數時，仿真器假定其幾何結構被具有這些截面的自然模式激勵 。下面的
圖將說明這些橫截面 。第一個圖顯示直接在結構外面的導體表面定義了波端口 。
第二張圖顯示，模型結構必須添加均勻橫截面部分 。左邊模型結構有誤，原因是在模型
兩個端口都沒有均勻橫截面的部分 。為了正確建模，需在每個波端口處添加一段均勻橫截面
的傳輸線，如右圖所示 。
均勻橫截面部分的長度必須足夠的長，這樣才能保證截止模式逐漸消失 。以保證仿真結
果的精確 。例如：如果一個截止模式由于損耗和模式截止大約經過
1/8
波長逐漸消逝了，這就
需要構造一個長度為
1/8
波長的均勻波導段 。否則 ， 仿真結果中一定會包含高次諧波的影響 。
在端口處附近的不連續性同樣可以使截止模式傳播到端口 。如果端口放置在很靠近不連
續性處，由于端口處的邊界條件導致仿真結果與對應的真實值不同（即：系統迫使每一個端
口都是你要求求解模式的線性疊加）
。
截止模式中的能量傳播到端口將會影響主模的能量并產
生錯誤的結果 。
如果波在
Z
方向上傳播，模式的削減可以用函數
。因此 ， 所需的距離（均勻端口長度）
由模式的傳播常數值決定 。
當端口長度設置正確時 ，
在端口處仿真的模為理想匹配，
如同波導延伸至無窮遠處一般 。
對仿真中沒有包含的模，波端口可被看成理想導體 。
§
2.5.9
端口和多重傳播模式
每個高次模都表現為沿著波導傳播的不同的場模式 。通常，仿真中應包括所有的傳播模
式 。在大多數情況下 ， 你可以接受默認的單模模式，但是對那些傳播高次模的問題，我們需
要改變默認設置，將其改變成多模模式 。如果實際傳播模式數比你指定指定的模式數多，就
會產生錯誤的結果 。模式的數量隨端口不同而不同 。
傳播模式
傳播模式是指那些具有傳播常數
β
（
rad/m
）
并且
β
遠大于衰減常數
α
（
Np/meter
）
的模式 。
用下面的方法可確定那些仿真問題中應包括的模式，首先設置成不包括自適應解的多模模式
問題 ， 然后求解 。在完成分析之后檢驗每個模的復傳播常數（
Gamma
）
γ=α+β
：為了能夠在
完成分析之后檢驗每個模的復傳播常數：
1.
在
HFSS
的
Analysis Setup
菜單中，選擇
Matrix Data
。
2.
此時會彈出一個對話框如下圖所示 。選擇
Gamma
并改變顯示類型為
Real/Imaginary
。
在端口每一個附加的模式將產生一組附加的
S
參數 。
假如，
在一個
3
端口器件中每個端口
設置
2
個模進行分析，其最終結果是一個
6×
6
的
S
參量矩陣 。一般來說，
n
端口的解是由所有
端口的激勵數、模式數加上源的數量 。
如果在仿真中不包含高次模，則需確認波端口有足夠的長的均勻段，使截止模凋落且不
會產生反射 。
§
2.5.10
波端口和對稱面
──
阻抗倍乘
當由于使用對稱面使端口的尺寸減少時，為計算電壓損耗和功率流需要調整端口阻抗 。
理想電對稱面（
Perfect E Symmetry plane
）
,
阻抗倍乘因子為
2
。該模型的電壓差和功率流
只有整個結構的
1/2
，
導致計算出的阻抗也只有整個結構的
1/2
。
只有模型算出的阻抗乘
2
以后，
其阻抗值才與實際結構相同 。
理想磁對稱面（
Perfect H Symmetry plane
）
，阻抗倍乘因子為
0.5
。該模型計算的電壓差與
整個結構相同，但功率流只有整個結構的
1/2
，所以 ， 算出的阻抗為整體結構的
2
倍 。所以，
阻抗倍乘因子為
0.5
。
如果整體結構同時包含理想電對稱面和理想磁對稱面 ， 則無需調整 。也就是說，無需調
整同時含有理想電邊界和理想磁邊界的結構輸入阻抗倍乘數 ， 因為理想磁對稱面的阻抗倍乘
因子為
0.5
，理想電對稱面的阻抗倍乘因子為
2
。兩個阻抗倍乘因子相乘等于
1
。
HFSS 如何插入金屬墊片三角形可以用畫線命令實現，最后的閉合頂點雙擊 ， 就自動生成三角形面 。面不能設置材料，但可以設置面的邊界條件 。選中面，右鍵assignboundary，選Finite conductivity boundary,如下 ， 先點框，再點vacuum ， 就可自己選金屬邊界了
HFSS采用的是什么算法建模采用acis的內核，
電磁場計算采用有限元法（Finite Element Method，FEM）
thermal treatmen 和 heat treatment有什么區別thermal treatment
[機] 熱處理
heat treatment
[機] 熱處理
一個意思
heat conductivity是什么意思heat conductivity熱傳導； 熱傳導性； 熱導率； 導熱率Where sells measures the diamond the heat conductivity meter? 哪里賣測鉆石的熱導儀?很高興第一時間為您解答，祝學習進步如有問題請及時追問，謝謝~~O(∩_∩)O
turbulent thermal conductivity 是多少回答可能帶有主觀性如有不當之處，望諒解turbulent是形容詞turbulence是名詞如有疑問，請追問滿意，還請采納
thermal conductivity是什么意思thermal conductivity英[ˈθə:məl ˌkɔndʌkˈtɪvɪti:]美[ˈθɚməl ˌkɑndʌkˈtɪvɪti][詞典] 導熱性[系數];[網絡] 導熱; 導熱系數; 熱傳導系數;[例句]Due to its low thermal conductivity, PCM is more effective if coupled with Aluminum fins and Aluminum foam.如果要增加鋁散熱片和鋁泡沫膠時 ， 由于PCM的低導熱性，使它的性能更加有效 。
power conductivity什么意思power conductivity
功率系數
conductivity
n. 傳導性，傳導率 ， 電導率;
hopping conductivity是什么意思hopping conductivity
[詞典]跳躍電導性;
[例句]These results may be explained by the hopping conductivity in the variable range in the vicinity of Fermi energy.
這些結果可以用Fermi能級附近的定域態內的變程跳躍電導來解釋 。
電導率3.90是啥意思?電導率越小導電越差 。
電導率 (electric conductivity) 是表示物質傳輸電流能力強弱的一種測量值 。當施加電壓于導體的兩端時，其電荷載子會呈現朝某方向流動的行為，因而產生電流 。電導率是以歐姆定律定義為電流密度和電場強度的比率：有些物質會有異向性 (anisotropic) 的電導率，必需用 3 X 3 矩陣來表達（使用數學術語 ， 第二階張量，通常是對稱的） 。電導率是電阻率的倒數 。在國際單位制中的單位是西門子/米 (S·m-1)：電導率儀 (electrical conductivity meter) 是一種是用來測量溶液電導率的儀器 。
工業電導率儀用英語怎么說工業電導率儀
這個詞語
用英語表達
翻譯為 : Industrial conductivity meter.